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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
H7N1002LD	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1002LD	Power MOSFETs	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1002LD	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1002LD-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1002LD_09	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1002LD_15	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：160.33 Kbytes Page：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1002LD-E	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
H7N1002AB	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive	RENESAS 瑞萨	RENESAS

H7N1002LD供应商更多...

更新时间：2026-1-1 20:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金芯世纪电子有限公司	H7N1002LS	RENESAS/瑞萨	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	H7N1004	HITACHI/日立	24+	NA/	3655	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	H7N1002LSTR-E	RENESAS/瑞萨	24+	TO263	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	H7N1002LSTR-E	RENESAS	25+23+	TO263	13803	绝对原装正品全新进口深圳现货	询价
深圳市东来宝电子科技有限公司	H7N1002LSTR-E	RENESAS/瑞萨	24+	TO263	54000	郑重承诺只做原装进口现货	询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	H7N1002LD	NEC	25+	原厂原封装	86720	全新原装进口现货价格优惠本公司承诺原装正品假一赔	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	H7N1002LSTR-E	RENESAS/瑞萨	24+	TO263	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	H7N1002LSTR-E	RENESAS/瑞萨	2447	TO263	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	H7N1002LSTR-E	RENS	22+	TO-263	20000	公司只做原装品质保障	询价
深圳市凌旭科技有限公司	H7N1002LSTR-E	RENESAS/瑞萨	21+	TO263	7000		询价

H5TQ4G83CFR-RDC中文资料PDF
H5TQ4G83CFR-RDC 品牌HYNIX 数量:16000 批号:18+ 封装:FBGA 全新原装现
2022-12-28
H5TQ4G83CFR-RDC绝对全新原装正品特价销售
H5TQ4G83CFR-RDC 绝对全新原装正品特价销售
2022-10-27
H9HCNNNCPUMLHR-NME
H9HCNNNCPUMLHR-NME 电子元器件 SKHYNIX 封装BGA
2022-7-22
H9HCNNNBPUMLHR-NME
H9HCNNNBPUMLHR-NME 存储IC SK hynix 封装FBGA
2022-7-22
H9DA1GH25HBMBR-4EM 海力士/SKHynix内存芯片 H9DA1GH25HAMBR-4EM 鸿裕兴电子
H9DA1GG51JCMCR-4EM H9DA1GG51JBMCR-4EM H9DA1GG51HCMBR-4EM H9DA1GG51HAMMR-4EM H9DA1GG51HAMBR-4EM H9DA1GG25HBMBR-4EM H9CCNNNBPTMLBR-NTM H9CCNNNBLTMLAR-NTM H9CCNNN8JTMLAR-NTM
2020-7-16
H6MM，DEV-KIT-C，CBL-H6DC-3
H6 可配置数字倾角仪 Rieker H6 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，通过水下最深 30 M 测试，非常适合大多数环境
2019-8-23