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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H7N1002LS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 |   | |
H7N1002LS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
H7N1002LS | Power MOSFETs | RENESAS 瑞萨 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
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H7N1002LS产品属性
- 类型
描述
- 型号
H7N1002LS
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
Renesas |
22+ |
SC83 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
RENS |
22+ |
TO-263 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
RENESAS |
25+23+ |
TO263 |
13803 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
RENESAS |
25+ |
TO-263 |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO263 |
7000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
NEC |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
RENESAS |
TO263 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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