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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H7N1002LS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 |   | |
H7N1002LS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
H7N1002LS | Power MOSFETs | RENESAS 瑞萨 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
H7N1002LS产品属性
- 类型
描述
- 型号
H7N1002LS
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
TO263 |
7000 |
||||
NEC |
23+ |
TO-252 |
47510 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
RENESAS |
16+ |
TO263 |
780 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
RENS |
2023+ |
TO-263 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
LDPAK |
20000 |
原装正品支持实单 |
H7N1002LS规格书下载地址
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