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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H7N1002AB | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 |   | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
H7N1002AB产品属性
- 类型
描述
- 型号
H7N1002AB
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
RENESAS |
21+ |
TO-220铁头 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
TO263 |
7000 |
||||
RENESAS |
TO263 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RENESAS |
21+ |
TO-220 |
100 |
原装现货假一赔十 |
|||
RENESAS |
25+23+ |
TO263 |
13803 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-220 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220 |
79999 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO263 |
7000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
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