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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H7N1002LD-E | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 |   | |
H7N1002LD-E | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
H7N1002LD-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
H7N1002LD-E
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
TO263 |
7000 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
RENEAS |
99+ |
TO220/3 |
3400 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||
RENS |
2023+ |
TO-263 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
HITACHI/日立 |
24+ |
NA/ |
3655 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENEAS |
23+ |
TO220/3 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
日立 |
20+ |
TO-220F |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
RENS |
15+ |
TO-263 |
1000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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