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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H7N1002LD-E | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 |   | |
H7N1002LD-E | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 8 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：138.43 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
H7N1002LD-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
H7N1002LD-E
- 制造商
Renesas Electronics Corporation
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
TO-252 |
47510 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENES |
2511 |
TO-263 |
1000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
|||
RENESAS |
TO263 |
9850 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
RENESAS |
24+ |
TO263 |
36520 |
原装现货/放心购买 |
|||
HITACHI |
24+ |
TO-247 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO263 |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
H7N1002LD-E规格书下载地址
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