型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
H7N0308LSTL-E

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • RDS(on) = 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 3.8 mΩ typ. • Low drive current • 4.5 V gate drive device can be driven from 5 V source

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:81.02 Kbytes Page:7 Pages

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:81.02 Kbytes Page:7 Pages

RENESAS

瑞萨

H7N0308LSTL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N0308LSTL-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2026-1-27 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
TO263
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
NEC
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
RENESAS
23+
TO-263
42741
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
中性
23+
SOT-23
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
RENESAS
22+
TO-252
20000
公司只做原装 品质保障
RENESAS
2025+
TO263
3550
全新原厂原装产品、公司现货销售
RENESAS/瑞萨
22+
TO263
8000
原装正品支持实单
R
25+
LDPAK
35400
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
R
LDPAK
22+
6000
十年配单,只做原装
NK/南科功率
2025+
TO-263
986966
国产

H7N0308LSTL-E数据表相关新闻