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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
H7N0308AB	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=3.8mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4.5Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
H7N0308AB	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching 文件：81.02 Kbytes Page：7 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
H7N0308AB_05	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching 文件：81.02 Kbytes Page：7 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
H7N0308AB_15	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching 文件：100.08 Kbytes Page：9 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
H7N0308AB-E	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching 文件：81.02 Kbytes Page：7 Pages	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
H7N0308CF	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=3.8mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4.5Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
H7N0308CF	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •RDS(on)=3.8mΩtyp. •Lowdrivecurrent •4.5Vgatedrivedevicecanbedrivenfrom5Vsource	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司

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更新时间：2024-5-19 8:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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H5TQ4G83CFR-RDC中文资料PDF
H5TQ4G83CFR-RDC品牌HYNIX数量:16000批号:18+封装:FBGA全新原装现
2022-12-28
H5TQ4G83CFR-RDC绝对全新原装正品特价销售
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2022-10-27
H9HCNNNCPUMLHR-NME
H9HCNNNCPUMLHR-NME电子元器件SKHYNIX封装BGA
2022-7-22
H9HCNNNBPUMLHR-NME
H9HCNNNBPUMLHR-NME存储ICSKhynix封装FBGA
2022-7-22
H9DA1GH25HBMBR-4EM 海力士/SKHynix内存芯片 H9DA1GH25HAMBR-4EM 鸿裕兴电子
H9DA1GG51JCMCR-4EMH9DA1GG51JBMCR-4EMH9DA1GG51HCMBR-4EM H9DA1GG51HAMMR-4EMH9DA1GG51HAMBR-4EMH9DA1GG25HBMBR-4EM H9CCNNNBPTMLBR-NTMH9CCNNNBLTMLAR-NTMH9CCNNN8JTMLAR-NTM
2020-7-16
H6MM，DEV-KIT-C，CBL-H6DC-3
H6可配置数字倾角仪 RiekerH6的工作温度范围为-40°C至+85°C，通过水下最深30M测试，非常适合大多数环境
2019-8-23