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24A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode

RENESAS

瑞萨

24A, 600V N-Channel IGBT

Description The IGBT is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only mode

Intersil

24A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode

Description The IGBT is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only mode

Intersil

更新时间:2025-10-20 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
NA/
15638
原装现货,当天可交货,原型号开票
IXYS/艾赛斯
25+
TO247
2686
原装正品,假一罚十!
WESTCODE/西码
22+
MODULE
4500
WESTCODE/西码模块系列在售
JASN/建旭
2450+
SOP
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
HARRIS哈里斯
25+
TO-3P
18000
原厂直接发货进口原装
23+
TO-3P
65480
23+
98000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
XP Power
24+
N/A
12000
一级代理保证进口原装正品假一罚十价格合理
HARRIS
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
EASTERNFRONTIER
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

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