G2R120MT33J

发布企业:深圳市科雨电子有限公司时间:2022-11-28 11:44:00

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G2R120MT33J
G2R120MT33J

类别

分立半导体产品

单 FET,MOSFET

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

G2R™

包装

管件

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

3300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

35A

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

20V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

156 毫欧 @ 20A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

-

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

145 nC @ 20 V

Vgs(最大值)

+25V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3706 pF @ 1000 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

-

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263-7

封装/外壳

TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA

基本产品编号

G2R120

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GENESIC

Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GENESIC
2024-5-15 19:15:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
OMRON
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G2R120MT33J
GeneSiC Semiconductor
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SiCFET(碳化硅)新能源晶体管一定有货