发布企业：深圳市科雨电子有限公司时间：2022-11-28 11:44:00
企业：深圳市科雨电子有限公司
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类别
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
制造商
GeneSiC Semiconductor
系列
G2R™
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
156 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
145 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3706 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号
G2R120
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SiC N-Channel MOSFET | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |   | ||
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode | GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc. | | ||
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode | GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc. | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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