G20N50C公司原装现货/随时可以发货

发布企业:瀚佳科技(深圳)有限公司时间:2019/4/16 12:20:00

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G20N50C数据表

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247AC-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 20 A

Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 65 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 250 mW (1/4 W)

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 20.82 mm

长度: 15.87 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.31 mm

商标: Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值: 6.4 S

下降时间: 44 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 27 ns

工厂包装数量: 500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 32 ns

典型接通延迟时间: 80 ns

单位重量: 38 g