FGB5N60UNDF价格

参考价格:¥5.3191

型号:FGB5N60UNDF 品牌:Fairchild 备注:这里有FGB5N60UNDF多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FGB5N60UNDF批发/采购报价,FGB5N60UNDF行情走势销售排行榜,FGB5N60UNDF报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
FGB5N60UNDF

600V,5AShortCircuitRatedIGBT

文件:794.43 Kbytes Page:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

4.5Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC5N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplication

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

4.5Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET

文件:242.68 Kbytes Page:6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

5A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:254.02 Kbytes Page:6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

PowerMOSFET

文件:1.06579 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-ChannelPowerMOSFET

文件:396.63 Kbytes Page:8 Pages

NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd

尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司

NELLSEMI

FGB5N60UNDF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FGB5N60UNDF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V 5A NPT IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-28 22:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三年内
1983
纳立只做原装正品13590203865
20+
TO263
9860
原装现货/放心购买
FSC/仙童
21+
TO-263
670
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
FAIRCHILD/仙童
24+
TO263
880000
明嘉莱只做原装正品现货
Fairchild/ON
21+
TO263AB (D2PAK)
13880
公司只售原装,支持实单
FAIRCHILD/仙童
21+
TO263
1709
FAIRCHILD/仙童
21+
TO263
6000
全新原装 公司现货
FSC
1844+
TO-263
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
FAIRCHILD/仙童
2023+
TO263
6893
十五年行业诚信经营,专注全新正品
ONSEMI
23/22+
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9000
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