FGD5T120SH IGBT 晶体管 1200V 5A Field Stop Trench IGBT

制造商: onsemi

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: DPAK-3

安装风格: SMD/SMT

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV

集电极—射极饱和电压: 2.9 V

栅极/发射极最大电压: 25 V

在25 C的连续集电极电流: 10 A

Pd-功率耗散: 69 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: FGD5T120SH

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: onsemi / Fairchild

集电极最大连续电流 Ic: 10 A

栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA

产品类型: IGBT Transistors

2500

子类别: IGBTs

单位重量: 260.370 mg