FGH40N60SFDTU

时间:2020-6-29 9:34:00

650 V TO-247-4 IGBT 晶体管 , 4.5 kV IGBT 晶体管 , 650 V TO-247 IGBT 晶体管 , 1200 V Si 300 A IGBT 晶体管 , 650 V Si 100 A IGBT Transistors IGBT 晶体管 , 600 V Single Through Hole 40 A IGBT 晶体管

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: ON Semiconductor

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: FGH40N60SFD

封装: Tube

集电极最大连续电流 Ic: 80 A

高度: 20.82 mm

长度: 15.87 mm

宽度: 4.82 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

产品类型: IGBT Transistors

工厂包装数量: 450

子类别: IGBTs

单位重量: 6.390 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

600V, 40A Field Stop IGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

600V, 40A Field Stop IGBT

FairchildFairchild Semiconductor

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600 V, 40 A Field Stop IGBT

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IGBT - Field Stop 600 V, 40 A

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

IGBT - Field Stop 600 V, 40 A

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2025-8-14 20:18:00
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