FGA60N65SMD

时间:2020-6-29 9:32:00

650 V TO-247-4 IGBT 晶体管 , 4.5 kV IGBT 晶体管 , 650 V TO-247 IGBT 晶体管 , 1200 V Si 300 A IGBT 晶体管 , 650 V Si 100 A IGBT Transistors IGBT 晶体管 , 600 V Single Through Hole 40 A IGBT 晶体管

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: ON Semiconductor

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-3PN

安装风格: Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.9 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 120 A

Pd-功率耗散: 600 W

系列: FGA60N65SMD

封装: Tube

商标: ON Semiconductor / Fairchild

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

产品类型: IGBT Transistors

工厂包装数量: 450

子类别: IGBTs

单位重量: 6.401 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Insulated-Gate Bipolar Transistor in a TO-3P Plastic Package

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

650V /60A Trench Field Stop IGBT

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

2025-8-14 17:29:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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