时间：2020-6-29 9:32:00
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制造商: ON Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3PN
安装风格: Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 120 A
Pd-功率耗散: 600 W
系列: FGA60N65SMD
封装: Tube
商标: ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
单位重量: 6.401 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
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| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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