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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC- | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
40-V,N-ChannelNexFETPowerMOSFETs 文件：906.4 Kbytes Page：9 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | | |
SCANTESTDEVICEWITH18-BITREGISTEREDBUSTRANSCEIVER 文件：433.54 Kbytes Page：30 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
184.8MHzSAWFilter1.6MHzBandwidth 文件：252.58 Kbytes Page：3 Pages | SIPATSIPAT Co,Ltd 胜普电子重庆胜普电子有限公司 |  | | |
BiCMOSPFC/PWMCombinationController 文件：91.38 Kbytes Page：8 Pages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
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