CSD17573Q5B

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2022-9-8 11:03:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1016号宝华大厦A座、B座A座20层2028室

全新原装现货 支持第三方机构验证

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSON-CLIP-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V

Qg-栅极电荷: 49 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 195 W

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Texas Instruments

配置: Single

下降时间: 7 ns

正向跨导 - 最小值: 181 S

高度: 1 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns

系列: CSD17573Q5B

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 40 ns

典型接通延迟时间: 6 ns

宽度: 5 mm

单位重量: 91.700 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

3 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

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CSD17573Q5B 30-V N-Channel NexFET? Power MOSFETs

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2025-8-15 13:26:00
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