CSD17570Q5BT

制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSON-CLIP-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 740 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 93 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.2 W

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

封装: Reel

商标: Texas Instruments

配置: Single

高度: 1 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

系列: CSD17570Q5B

500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5 mm

单位重量: 134.400 mg