CSD18504Q5AT新到货100K.代理TI系列产品，长期供应，原装正品。欢迎来电咨询：83263770/82810280（22线，QQ在线报价1050372272/1481195084，Email:owen610106@163.com.
制造商:Texas Instruments
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:VSONP-8
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:75 A
Rds On-漏源导通电阻:6.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
Qg-栅极电荷:16 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:77 W
通道模式:Enhancement
商标名:NexFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:Single
高度:1 mm
长度:6 mm
系列:CSD18504Q5A
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.9 mm
商标:Texas Instruments
正向跨导 - 最小值:71 S
开发套件:EM1402EVM
下降时间:2 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:6.8 ns
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:12 ns
典型接通延迟时间:3.2 ns
单位重量:84.800 mg
本产品适用于所有类型的电子设备和装备，涉及领域有工业、计算机、汽车制造、消费类、电信、军事、航空航天、供电和医疗市场。
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