CSD18531Q5A特价销售原装正品
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 134 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 43 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 156 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 6 mm
系列: CSD18531Q5A
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.9 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 128 S
CNHTS: 8541210000
开发套件: DRV8711EVM
下降时间: 2.7 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85423901
产品类型: MOSFET
上升时间: 7.8 ns
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
TARIC: 8542399000
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 4.4 ns
单位重量: 24 mg
