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PTB20111中文资料

厂家型号

PTB20111

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39.54Kbytes

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1

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

射频放大器 RF Bipolar Trans

数据手册

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生产厂商

ASI

PTB20111数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION:

The ASI PTB20111 is Designed for General Purpose Class AB Power Amplifier Applications up to 900 MHz.

FEATURES:

• 25 W, 860-900 MHz

• Silicon Nitride Passivated

• Omnigold™ Metalization System

PTB20111产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTB20111

  • 功能描述

    射频放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-12-24 17:57:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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