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PTB20082中文资料

厂家型号

PTB20082

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4

功能描述

15 Watts, 1.8-2.0 GHz Cellular Radio RF Power Transistor

射频放大器 RF Bipolar Trans

数据手册

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生产厂商

ERICSSON

PTB20082数据手册规格书PDF详情

Description

The 20082 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 26 Vdc operation from 1.8 to 2.0 GHz. Rated at 15 watts output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.

• 10 Watts Linear Power

• Output Power at 1 dB Compressed = 15 W

• Class AB Characteristics

• 30 Collector Efficiency at 7.5 Watts

• Gold Metallization

• Silicon Nitride Passivated

PTB20082产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTB20082

  • 功能描述

    射频放大器 RF Bipolar Trans

  • RoHS

  • 制造商

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 类型

    Low Noise Amplifier

  • 工作频率

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB

    18.5 dBm

  • 输出截获点

    37.5 dBm

  • 功率增益类型

    32 dB

  • 噪声系数

    0.85 dB

  • 工作电源电压

    5 V

  • 电源电流

    125 mA

  • 测试频率

    2.6 GHz

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    QFN-16

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-12-30 9:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ERICSSON
13+
DIP
19058
原装分销
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23+
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