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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

2SJ555(E)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ555(E)

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Bulk

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3P

更新时间:2025-11-23 11:10:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
23+
TO-247
5880
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
24+
N/A
70000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
NEC
1922+
SOT-23
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
RENESAS/瑞萨
23+
TO-3P
50000
全新原装正品现货,支持订货
HIT
24+
TO-3P
20000
RENESAS/瑞萨
24+
TO-247
47186
郑重承诺只做原装进口现货
RENESAS/瑞萨
11+
TO-3P
2844
原装现货
RENESAS
23+
TO-3P
1365
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
25+
TO-3P
8800
公司只做原装,详情请咨询
RENESAS
24+
TO-3P
16900
原装正品现货支持实单

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