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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.017Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.017 Ωtyp. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

2SJ555(E)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ555(E)

  • 制造商

    Renesas Electronics

  • 功能描述

    Bulk

  • 制造商

    Renesas

  • 功能描述

    Trans MOSFET P-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3P

更新时间:2026-3-3 10:06:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
70000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
RENESAS/瑞萨
2022+
TO-3P
50000
原厂代理 终端免费提供样品
瑞萨Renesa
25+
TO-3P
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
RENESAS
16+17+
TO-3P
904
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
23+
TO-3P
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS/瑞萨
2450+
TO-3P
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
HITACHI
23+
TO-3P
900
专做原装正品,假一罚百!
RENESAS
22+
TO-3P
20000
公司只有原装 品质保证
RENESAS/瑞萨
11+
TO-3P
2844
原装现货
RENESAS/瑞萨
24+
TO-3P
60000
全新原装现货

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