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2SJ555数据手册规格书PDF详情
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS(on)= 0.017Ω typ.
• Low drive current.
• 4V gate drive devices.
• High speed switching.
2SJ555产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SJ555
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon P Channel MOS FET
更新时间：2026-1-31 17:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI |
23+ |
TO-3P |
900 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
RENESAS |
26+ |
TO-3P |
360000 |
进口原装现货 |
|||
HIT |
24+ |
TO-3P |
20000 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-3P |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
RENESAS |
16+17+ |
TO-3P |
904 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
2023+ |
TO-3P |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
RENESAS |
23+ |
TO-3P |
1365 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
瑞萨Renesa |
25+ |
TO-3P |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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