型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ550L-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:941.18 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

文件:115.18 Kbytes Page:11 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ550L-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ550L-E

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-10-10 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
24+
NA/
5996
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS/瑞萨
25+
TO-263
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
HIT
01+
TO-263
5800
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
2511
TO-263
435
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO263
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
RENESAS瑞萨/HITACHI日立
24+
TO-262
6400
新进库存/原装
HITACHI
24+
TO263
4231
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!

2SJ550L-E数据表相关新闻