型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
2SJ550L-E

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.075Ω typ. • Low drive current. • 4V gate drive devices. • High speed switching.

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 0.075 Ω typ. • Low drive current. • 4 V gate drive devices. • High speed switching.

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

文件:115.18 Kbytes Page:11 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ550L-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ550L-E

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-11-26 13:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/微碧半导体
24+
TO263
7800
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
RENESAS/瑞萨
24+
TO263
60000
RENESAS
2511
TO-263
435
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS/瑞萨
23+
TO-263
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
24+
N/A
67000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
RENESAS
1922+
SOT-262
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
RENESAS/瑞萨
20+
TO-263
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
HITACHI/日立
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
25+
TO-263
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
RENESAS瑞萨/HITACHI日立
24+
TO-262
6400
新进库存/原装

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