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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

文件:113.42 Kbytes Page:11 Pages

RENESAS

瑞萨

2SJ527STR-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ527STR-E

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-11-22 23:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
11048
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
HITACHI/日立
24+
NA/
3750
原装现货,当天可交货,原型号开票
RENESAS/瑞萨
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
HITACHI/日立
07+
TO-251
400
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
24+
TO-252
35000
绝对原装正品现货假一罚十
Renesas(瑞萨)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
原装
25+
TO-252
20300
原装特价2SJ527STR-E即刻询购立享优惠#长期有货
HITACHI
24+
TO252
8540
只做原装正品现货或订货假一赔十!
RENESAS瑞萨/HITACHI日立
24+
TO-252
8658
新进库存/原装
VBsemi
24+
TO251
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十

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