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2SJ527L

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ527L

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

2SJ527L

Power MOSFETs

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching

HITACHIHitachi Semiconductor

日立日立公司

2SJ527L产品属性

  • 类型

    描述

  • 封装类型:

    DPAK(L)-(1)/TO-251

  • Nch/Pch:

    Pch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    -60

  • ID (A):

    -5

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@4V或4.5V:

    800

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    400

  • Ciss (pF) 典型值:

    220

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    -2

  • VGSS (V):

    20

  • Pch (W):

    20

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

更新时间:2026-5-18 21:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
20+
TO-251
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
22+
TO-252
20000
公司只有原装 品质保证
RENESAS
25+
62
公司现货库存
RENESAS
26+
TO-252
360000
进口原装现货
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
VBsemi
25+
TO251
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
RENESAS
12+
TO-251
1718
全新 发货1-2天
NEC
26+
ZIP
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
RENESAS
25+
TO-252
20000
原装
RENESAS
25+
TO-252
8800
公司只做原装,详情请咨询

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