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Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET

Description High speed power switching Features • Low on-resistance RDS (on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gate drive devices • High speed switching

RENESAS

瑞萨

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching

Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.3 Ωtyp. • Low drive current • 4 V gete drive devices • High speed switching

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

Silicon P Channel MOS FET

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RENESAS

瑞萨

2SJ527STL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SJ527STL

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon P Channel MOS FET

更新时间:2025-12-28 14:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
25+
原厂原封装
86720
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
RENESAS/瑞萨
24+
TO-252
16900
原装正品现货支持实单
VBsemi
24+
TO251
9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
HITACHI
1922+
SOT-252
35689
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
RENESAS瑞萨/HITACHI日立
24+
TO-252
8658
新进库存/原装
RENESAS
24+
TO-252
35000
绝对原装正品现货假一罚十
原装
25+
TO-252
20300
原装特价2SJ527STR-E即刻询购立享优惠#长期有货
CJ
24+
SOT-23
10000
专做原装现货 假一赔百ai
RENESAS/瑞萨
0734+
TO-252
1558
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

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