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位置：首页 > IC中文资料第10897页 > 18N6

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
18N60

POLARHV HIPERFET POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 18N60 uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS=10V, ID=9A * Ul

UTC

友顺

18N60

Fast Switching

• FEATURES • Drain Current ID= 18A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) • Fast Switching • APPLICATIONS • Switch mode power supply.

ISC

无锡固电

18N60G-T47-T

POLARHV HIPERFET POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 18N60 uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS=10V, ID=9A * Ul

UTC

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18N60L-T47-T

POLARHV HIPERFET POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 18N60 uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS=10V, ID=9A * Ul

UTC

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18N60M2

N-channel 600 V, 0.255 typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra narrow leads package

Features • Extremely low gate charge • Excellent output capacitance (COSS) profile • 100 avalanche tested • Zener-protected Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device

STMICROELECTRONICS

意法半导体

18N60-T47-T

POLARHV HIPERFET POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 18N60 uses UTC’s advanced proprietary, planar stripe, DMOS technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON) ≤ 0.5Ω @ VGS=10V, ID=9A * Ul

UTC

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18N60

600V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：147.42 Kbytes Page：3 Pages

UTC

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18N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：325.33 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

18N60

18A,600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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18N60_10

600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N60_11

18A,600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N60_15

N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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18N60_18

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

18N60G-T3P-T

N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N60G-T47-T

N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N60G-T47-T

18A,600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N60G-T47-T

600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N60L-T3P-T

N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N60L-T47-T

18A,600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

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18N60L-T47-T

600V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N60L-T47-T

N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N65

18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：182.59 Kbytes Page：4 Pages

UTC

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18N65

Static Drain-Source On-Resistance

文件：46.98 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

18N65G-T3P-T

18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N65G-T47-T

18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N65G-TC3-T

18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N65L-T3P-T

18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N65L-T47-T

18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

18N65L-TC3-T

18A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：182.59 Kbytes Page：4 Pages

UTC

友顺

18N6L

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：960.63 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

18N6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    18N6

  • 制造商

    UTC-IC

  • 制造商全称

    UTC-IC

  • 功能描述

    600V N-CHANNEL POWER MOSFET

18N6供应商更多...

更新时间：2025-8-11 19:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市星辰微电科技有限公司
18N60F
SILAN/士兰微
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TO-220F-3L
150000
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
18N60L-T47-T
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INMET
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18N60M2
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TO-247
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
18N60L
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ON
23+
TO-252
5000
原装正品,假一罚十
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    联系人：陈先生 电话：18018738768（微信同号） QQ：1005525513 我司有一手货源，价优，可以长期提供大量，优质的货源，专业的渠道，物美价廉是公司与客户之间共同的理念 由于公司型号众多，无法一一上传，如在网站找不到您要的产品，请联系业务员，本司可提供电子元器件配单服务 我司部分现货库存如下： HTSE21F3.91

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