VNS3NV04PTR-E价格

参考价格:¥3.3617

型号:VNS3NV04PTR-E 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有VNS3NV04PTR-E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,VNS3NV04PTR-E批发/采购报价,VNS3NV04PTR-E行情走势销售排行榜,VNS3NV04PTR-E报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
VNS3NV04PTR-E

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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意法半导体

?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNS3NV04D is a device formed by two monolithic OMNIFET II chips housed in a standard SO-8 package. The OMNIFET II are designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology: they are intended for replacement of standard Power MOSFETS from DC up to 50KHz applications. Built in ther

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?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Features ■ Linear current limitation ■ Thermal shutdown ■ Short circuit

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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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VNS3NV04PTR-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNS3NV04PTR-E

  • 功能描述

    MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-12 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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