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位置：首页 > IC中文资料第385页 > VNP5N07

VNP5N07价格

参考价格：￥5.9027

型号：VNP5N07E 品牌：ST Microelectronics 备注：这里有VNP5N07多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VNP5N07批发/采购报价，VNP5N07行情走势销售排行榜，VNP5N07报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
VNP5N07

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

文件：132.12 Kbytes Page：11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNP5N07

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNP5N07FI

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNP5N07FI

fully autoprotected Power MOSFET

Description The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics® VIPower® M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh envir

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNP5N07FI

OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET

文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNP5N07FI

封装/外壳：ISOWATT-220-3 包装：管件 描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 ISOWATT220 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07

fully autoprotected Power MOSFET

Description The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics® VIPower® M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh envir

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07-E

fully autoprotected Power MOSFET

Description The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics® VIPower® M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh envir

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07FI

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07

OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET

文件：507.97 Kbytes Page：24 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNP5N07产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNP5N07

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

VNP5N07供应商更多...

更新时间：2025-8-8 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
VNP5N07-E
ST(意法半导体)
24+
TO-220
5098
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深圳市益百分电子有限公司
VNP5N07
ST
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VNP5N07
ST(意法)
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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ST/意法
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TO220AB
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深圳市高捷芯城科技有限公司
VNP5N07-E
ST(意法半导体)
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深圳市中联芯电子有限公司
VNP5N07
ST
24+
TO-220
12000
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    2012-11-11

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