产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 70 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: -
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 18 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 31 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 40 ns, 1100 ns
正向跨导 - 最小值: 4 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns, 400 ns
系列: VNP5N07
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
类型: Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 150 ns, 3900 ns
典型接通延迟时间: 50 ns, 150 ns
单位重量: 2 g
