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VNP35N07FI

OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VNP35N07-E, VNB35N07-E and VNV35N07-E are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower® technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the

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意法半导体

VNP35N07FI

封装/外壳:ISOWATT-220-3 包装:管件 描述:IC PWR DRVR N-CH 1:1 ISOWATT220 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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VNP35N07FI

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP35N07 is a monolithic device made using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linearcurrent limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh

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OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VNP35N07-E, VNB35N07-E and VNV35N07-E are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower® technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the

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VNP35N07FI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNP35N07FI

  • 功能描述

    电源开关 IC - 配电 N-Ch 70V 35A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    Exar

  • 输出端数量

    1

  • 开启电阻(最大值)

    85 mOhms

  • 开启时间(最大值)

    400 us

  • 关闭时间(最大值)

    20 us

  • 工作电源电压

    3.2 V to 6.5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23-5

更新时间:2026-7-29 16:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装正品 可含税交易

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