| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
BROADBANDxDSL,HPN,CMCs BROADBANDACCESS:xDSL,HPN,CMCs Broadbandhascomealongwayinthepastfewyears.Pulsecontinuestoleadthewaywithabroadrangeofcomponentsthatenabletwisted-paircopper,fiberandcoaxialcabletodeliverhigh-speedservicestohomesandbusinesses.Pulsecomponentsarealsous | pulse Pulse A Technitrol Company |  |   | |
AQ4023Series1.3pF,12ADiscreteTVSDiode 文件：606.73 Kbytes Page：4 Pages | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 |  | | |
C4000ERWSERIES 文件：244.61 Kbytes Page：2 Pages | MPD MPD (Memory Protection Devices) |  | | |
Compact,2:1Input40W,SingleOutputDC/DCConverters 文件：250.5 Kbytes Page：2 Pages | MPD MPD (Memory Protection Devices) | | | |
BufferedTriple3-InputNAND,NORGate 文件：127.67 Kbytes Page：6 Pages | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 |  | |
| 替换型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Buffered Triple 3-Input NAND,NOR Gate | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | | | |
Buffered Triple 3-Input NAND Gate | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | | |
CMOS NAND Gates | IntersilIntersil Corporation |  | | |
Buffered Triple 3-Input NAND,NOR Gate | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | | | |
Buffered Triple 3-Input NAND Gate | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | | |
Buffered Triple 3-Input NAND,NOR Gate | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | | | |
CMOS NAND GATES | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  | | |
The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
The CD4011B, CD4012B, and CD4023B types are supplied in 14-lead hermetic dual-in-line ceramic packages | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
CMOS NAND GATES | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | | | |
Buffered Triple 3-Input NAND,NOR Gate | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | | | |
Triple 3-Input NAND(NOR) Gate | NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司 | | | |
Triple 3-input NAND Gate | HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司 |  | | |
Triple 3-input NAND gate | ETC | ETC | | |
Triple 3-input NAND gate | ETC | ETC | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 |  | | |
B-SUFFIX SERIES CMOS GATES | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
B−Suffix Series CMOS Gates | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | | | |
B-SUFFIX SERIES CMOS GATES | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
B-Suffix Series CMOS Gates | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司 | | | |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON | NTENTE Electronics |  | | |
INPUT NAND GATE | RANDER & E International, Inc. |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PULSE |
24+ |
NA/ |
3303 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
PULSE |
25+ |
DIP |
53 |
原装正品,假一罚十! |
|||
EPSON |
23+ |
SMD |
2990 |
原装正品现货 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
PULSE |
23+ |
NA |
282 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
24+ |
DIP |
1380 |
|||||
PULSE |
24+ |
DIP |
53 |
原装正品,假一罚十! |
|||
PULSE |
2447 |
DIP6 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
0518+ |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
0518+ |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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2024-5-20UPD30181AYF1-131-GA3-A 瑞智芯 只有原装
深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人：彭先生 QQ：2851196982 直线：0755-82991809 手机：13787628849 邮箱：pc@szruizhixin.com 地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号：UPD30181AYF1-131-GA3-A 品牌：Renesas 包装：50 封装：BGA240
2021-9-3UPD720114GA-YEU-AT
UPD720114GA-YEU-AT，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD720114GA-9EU-A
UPD720114GA-9EU-A，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-22UPD16818GR-8JG-步进电机控制器/驱动器
描述该mPD16818是单片双H桥驱动器集成电路，它使用其输出级N沟道功率MOS场效应管。通过雇用输出级的功率MOS场效应晶体管，该驱动电路的电压和饱和度大幅提高功耗比传统的驱动电路，使用双极晶体管。此外，驱动电流可以调节，在节电模式下使用外部电阻器。因此，该mPD16818作为一个两相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头执行器的一个FDD。特征•兼容电源电压3V-/5V-•引脚兼容与mPD16803•低（顶部和底部的ON电阻马鞍山FET的总和）ON电阻R
2013-2-5UPD16813-整体式双H桥驱动器电路
描述该mPD16813是单片双H桥驱动电路，在它的驱动级功率MOS场效应管。通过补充P通道和N通道的输出级，电路电流大幅inproved相对于传统电荷泵驱动程序。该mPD16813因此作为2相励磁驱动电路的理想，双极步进电机驱动头部的一个FDD驱动器。特征•低（顶部和底部的ON电阻晶体管的总和）ON电阻RON的典型值=2.0瓦特。•低电流消耗：国际直拨电话=100mA最大。•降噪电路，操作时INC已关闭。•小型表面贴装封装：16引脚SOP的塑
2013-2-5
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