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TW07价格

参考价格:¥191.5158

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Silicon Carbide N-Channel MOS

1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) Chip design of 2nd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 1200 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 70 mΩ (typ.) (5) Less susce

TOSHIBA

东芝

Power SiC MOSFETs

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-28 21:45:00
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Toshiba
23+
TO-3P
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