制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 40 A
Rds On-漏源导通电阻: 182 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 57 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 182 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Toshiba
下降时间: 36 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 43 A
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 82 ns
典型接通延迟时间: 71 ns
