TW045N120C,S1F MOSFET

发布企业:深圳市恒佳微电子有限公司时间:2023-4-23 10:55:00

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TW045N120C,S1F MOSFET G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm

制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

技术: SiC

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 182 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V

Qg-栅极电荷: 57 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 182 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

商标: Toshiba

下降时间: 36 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 43 A

工厂包装数量: 30

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 82 ns

典型接通延迟时间: 71 ns

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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2025-5-1 17:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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