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TW070J120B

Silicon Carbide N-Channel MOS

1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) Chip design of 2nd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 1200 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 70 mΩ (typ.) (5) Less susce

TOSHIBA

东芝

TW070J120B

Power SiC MOSFETs

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-1 8:08:00
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SAMTEC/申泰
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