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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)36mΩ ID30A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 |  |   | |
N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)36mΩ ID30A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree | EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司 | | | |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=36A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=58mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP36N10SDEisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)1=33mΩMAX.(VGS=10V,ID=18A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=18A) •LowCiss:Ciss=3500pFTYP.(VDS=2 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  | | |
ProductScoutAutomotive 文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
TO-252 |
8866 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-252 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
RENE |
24+ |
NA/ |
13470 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT23 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
rene |
19+ |
TO-252 |
87436 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
|||
Renesas |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
TO-252 |
|||
NEC |
25+ |
TO-252 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
NEC |
23+ |
TO-252 |
11713 |
全新原装 |
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TTELECTRONICS/LRC-LR1206LF-01-R040-F/40mΩ±1%1206芯片电阻
2021-5-15
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