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HiPerFETPowerMOSFETs

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ●Internationalstandardpackages ●JEDECTO-264AA,epoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification ●miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation ●LowRDS(on)HDMOSTMprocess ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●U

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

N-ChannelMOSFET

DESCRIPTION ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage -VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=23mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverter ·BatteryChargers ·SynchronousRectification

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

10VDriveNchMOSFET

Features 1)Lowon-resistance. 2)High-speedswitching. 3)WiderangeofSOA. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. Application Switching

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件:561.78 Kbytes Page:7 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

文件:770.6 Kbytes Page:6 Pages

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH
更新时间:2025-7-18 17:35:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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