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LMPC100N20

N-Channel Super Trench Power MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION · Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converter · Battery Chargers · Synchronous Rectification

ISC

无锡固电

HiPerFET Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features ● International standard packages ● JEDECTO-264 AA,epoxymeet UL94V-0, flammability classification ● miniBLOC with Aluminium nitride isolation ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● U

IXYS

10V Drive Nch MOSFET

Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 3) Wide range of SOA. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. Application Switching

ROHM

罗姆

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:561.78 Kbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

更新时间:2025-8-7 23:00:00
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