型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFN100N20

HiPerFET Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features ● International standard packages ● JEDECTO-264 AA,epoxymeet UL94V-0, flammability classification ● miniBLOC with Aluminium nitride isolation ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● U

IXYS

艾赛斯

IXFN100N20

N-Channel MOSFET

DESCRIPTION · Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converter · Battery Chargers · Synchronous Rectification

ISC

无锡固电

10V Drive Nch MOSFET

Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 3) Wide range of SOA. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. Application Switching

ROHM

罗姆

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:561.78 Kbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

N-Channel Super Trench Power MOSFET

文件:770.6 Kbytes Page:6 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

IXFN100N20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFN100N20

  • 功能描述

    MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-16 8:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
IXYS/艾赛斯
23+
SOT-227
56230
原装正品 华强现货
IXYS
2016+
SOT-227B
6000
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!
IXYS
专业模块
MODULE
8513
模块原装主营-可开原型号增税票
德国IXYS艾塞斯
23+
MOUDLE
12000
原装正品假一罚十支持实单
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
IXYS/艾赛斯
19+
MODULE
1290
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
IXYS
22+
SOT227
8000
原装正品支持实单
IXYS
24+
MODULE
1000
全新原装现货
IXYS
23+
模块
130
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势!

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