位置:首页 > IC中文资料第1693页 > IXFN100N20
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IXFN100N20 | HiPerFET Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Features ● International standard packages ● JEDECTO-264 AA,epoxymeet UL94V-0, flammability classification ● miniBLOC with Aluminium nitride isolation ● Low RDS (on) HDMOSTM process ● Rugged polysilicon gate cell structure ● U | IXYS 艾赛斯 | ||
IXFN100N20 | N-Channel MOSFET DESCRIPTION · Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 200V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · DC-DC Converter · Battery Chargers · Synchronous Rectification | ISC 无锡固电 | ||
10V Drive Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 3) Wide range of SOA. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. Application Switching | ROHM 罗姆 | |||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件:561.78 Kbytes Page:7 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |||
N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件:770.6 Kbytes Page:6 Pages | LEIDITECH 雷卯电子 |
IXFN100N20产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXFN100N20
- 功能描述
MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IXYS/艾赛斯 |
2023+ |
MODULE |
118 |
主打螺丝模块系列 |
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IXYS |
10+ |
主营模块 |
85 |
原装正品,公司正品供应 |
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IXYS |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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IXYS |
23+ |
模块 |
130 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
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IXYS |
2016+ |
SOT-227B |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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IXYS |
22+ |
SOT2274 miniBLOC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
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IXYS |
22+ |
SOT227 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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IXYS/艾赛斯 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
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原装正品现货
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2019-3-14
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