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IXFN100N20中文资料

厂家型号

IXFN100N20

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3

功能描述

N-Channel MOSFET

MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds

数据手册

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生产厂商

ISC

IXFN100N20数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

· Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage

-VDSS= 200V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 23mΩ(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

· DC-DC Converter

· Battery Chargers

· Synchronous Rectification

IXFN100N20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFN100N20

  • 功能描述

    MOSFET 100 Amps 200V 0.023 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-27 9:43:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
19+/20+
SOT-227B
1000
主打产品价格优惠.全新原装正品
IXYS
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模块
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