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N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features • 30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.) @ VGS=4.5V • Super High Dense Cell Design • Reliable and Rugged • Lead Free Available (RoHS Compliant) Applications • Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powered Systems

ANPEC

茂达电子

Thick Film Surface Mounted Wide Body Tape and reel packaging standard

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Bourns

伯恩斯

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Bourns

伯恩斯

Networks

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Bourns

伯恩斯

Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement

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A-POWER

富鼎先进电子

更新时间:2025-12-10 17:00:01
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