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SCTWA35N65G2V-4中文资料

厂家型号

SCTWA35N65G2V-4

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12

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mΩ typ., 45 A in an HiP247-4 package

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

SCTWA35N65G2V-4数据手册规格书PDF详情

Features

• Very fast and robust intrinsic body diode

• Low capacitances

• Source sensing pin for increased efficiency

• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications

• Switching mode power supply

• DC-DC converters

• Industrial motor control

更新时间:2025-10-5 15:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
21+
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STMicroelectronics
23+
HiP-247-3
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原厂正品现货供应SIC全系列
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