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SCTW70N120G2V中文资料

厂家型号

SCTW70N120G2V

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12

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mΩ typ., 91 A in an HiP247 package

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

SCTW70N120G2V数据手册规格书PDF详情

Features

• Very fast and robust intrinsic body diode

• Extremely low gate charge and input capacitance

• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications

• Switching mode power supply

• DC-DC converters

• Industrial motor control

更新时间:2026-2-4 16:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
25+
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STMicroelectronics
23+
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