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SCTW60N120G2中文资料

厂家型号

SCTW60N120G2

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12

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mΩ typ., 60 A in an HiP247 package

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

SCTW60N120G2数据手册规格书PDF详情

Features

• Very fast and robust intrinsic body diode

• Extremely low gate charge and input capacitance

• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications

• Switching mode power supply

• DC-DC converters

• Industrial motor control

更新时间:2025-10-4 13:27:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
23+
HiP-247-3
3652
原厂正品现货供应SIC全系列
STMICROELECTRONICS
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
ST(意法半导体)
24+
HiP-247
7814
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
ST(意法半导体)
20+
HiP-247
3000
24+
N/A
75000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ST
两年内
NA
5
实单价格可谈
ST/意法半导体
24+
HIP247-3
20000
现货
ST(意法)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
ST
2405+
原厂封装
850
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83267371邹小姐
ST
24+
HiP-247-3
10000
只有原装