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SCTW60N120G2中文资料

厂家型号

SCTW60N120G2

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12

功能描述

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mΩ typ., 60 A in an HiP247 package

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

SCTW60N120G2数据手册规格书PDF详情

Features

• Very fast and robust intrinsic body diode

• Extremely low gate charge and input capacitance

• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications

• Switching mode power supply

• DC-DC converters

• Industrial motor control

更新时间:2026-1-31 10:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
25+
N/A
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
STMICROELECTRONICS
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
STMicroelectronics
23+
HiP-247-3
3652
原厂正品现货供应SIC全系列
ST(意法)
25+
N/A
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
ST(意法半导体)
20+
HiP-247
3000
24+
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75000
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ST/意法半导体
25+
HIP247-3
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ST/意法半导体
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