型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

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威世威世科技公司

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

文件:68.79 Kbytes Page:4 Pages

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威世威世科技公司

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: Single N Channel MOSFET UIS, Rg 100% Tested Pb-Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.00153 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

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GE

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:243.87 Kbytes Page:4 Pages

GTM

勤益投资控股

SUB75N03产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUB75N03

  • 功能描述

    MOSFET 30V 75A 187W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-26 11:41:00
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