SUD50P04-08

时间:2020-10-21 14:24:00

18 A MOSFET , GaN-on-Si MOSFET , N-Channel 80 A 80 V MOSFET , 2 Channel N-Channel 30 A MOSFET , DPAK-3 N-Channel 60 V MOSFET , TO-263-3 100 V MOSFET

产品属性 属性值 搜索类似

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 8.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 159 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 73.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 2.38 mm

长度: 6.73 mm

系列: SUD

宽度: 6.22 mm

商标: Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值: 45 S

下降时间: 18 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 12 ns

工厂包装数量: 2000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 70 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

单位重量: 1.438 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-Channel 40-V (D-S) MOSFET

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

2025-8-13 13:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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