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STW28N65M2价格
参考价格：￥9.1684
型号：STW28N65M2 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STW28N65M2多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STW28N65M2批发/采购报价，STW28N65M2行情走势销售排行榜，STW28N65M2报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STW28N65M2 | isc N-Channel Mosfet Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.18Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Switching power | ISC 无锡固电 |   | |
STW28N65M2 | Extremely low gate charge 文件：1.2408 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STW28N65M2 | N沟道650 V、0.15 Ohm典型值、20 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-247封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) -RDS(on) = 180mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Extremely low gate charge 文件：1.2408 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Extremely low gate charge 文件：1.2408 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Extremely low gate charge 文件：660.95 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Extremely low gate charge 文件：1.2408 Mbytes Page：22 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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