制造商 STMicroelectronics/意法
数据列表 ST(B，F，P，W)28NM60ND
标准包装 30
包装 管件
零件状态 不适用于新设计
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 FDmesh? II
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 150 毫欧 @ 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 62.5nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2090pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 190W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
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