STW40N60M2,分立半导体产品

发布企业:深圳市宏世佳电子科技有限公司时间:2019-11-9 13:02:00

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型号:STW40N60M2

品牌:ST

封装:TO247

参数:

FET 类型: N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):88 毫欧 @ 17A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):57nC @ 10V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2500pF @ 100V

FET 功能: -

功率耗散(最大值):250W(Tc)

工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳|:TO-247-3