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Extremelylowgatecharge

Description ThesedevicesareN-channelPowerMOSFETsdevelopedusingMDmesh™M2technology.Thankstotheirstriplayoutandimprovedverticalstructure,thedevicesexhibitlowon-resistanceandoptimizedswitchingcharacteristics,renderingthemsuitableforthemostdemandinghighefficiency

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-channel600V,1.00typ.,5.5AMDmeshM2PowerMOSFETinanSOT223-2package

Features •Extremelylowgatecharge •Excellentoutputcapacitance(Coss)profile •100avalanchetested •Zener-protected Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingMDmeshM2 technology.Thankstoitsstriplayoutandanimprovedverticalstructure,thedevice

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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Extremelylowgatecharge

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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Extremelylowgatecharge

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意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-23 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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STMicroelectronics
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原装正品实单可谈 库存现货
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代理渠道.实单必成
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